| Einrichtung / Anwendung | ISO-Klasse (Gefüttert. Std. 209E) | Gezielte Bedrohung | DTAF-Empfehlung |
|---|---|---|---|
| Wafer-Fab-Kern (Lithografie) | ISO-Klasse 1-3 (Klasse 1) | Nanopartikel (<0.1μm), AMC, Boron | PTFE-SCHNAPP (U16/U17) + Imprägnierte Chem-Filter |
| Chip Assembly & Testing | ISO-Klasse 4-5 (Klasse 10/100) | Mikrostaub (0.3μm), Statische Entladung | HEPA mit geringem Widerstand (H14) + Intelligente FFU-Module |
| Rechenzentrums-Serverfarm | ISO-Klasse 8 (Klasse 100,000) | Staubansammlung, Wärmeableitung, Korrosive Gase | V-Bank mit hoher Kapazität (F9/H13) + Kohlenstoff-Vorfilter |

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